Amplificatore a basso rumore ad alto guadagno in banda X
| Processo | CMOS a 65 nm |
| Frequenza operativa (GHz) | 8,5-11,5 |
| Guadagno (dB) a 10 GHz | 22.9 |
| Figura di rumore (dB) a 10 GHz | 2.8 |
| Consumo energetico (mW) | 49 |
| Area del nucleo (mm²) | 0,24 |
Questo LNA CMOS a 65 nm offre un elevato guadagno di 22,9 dB e un basso consumo energetico di 49 mW in un design ultracompatto di 0,24 mm². Garantendo una sensibilità del segnale superiore e un'integrazione efficiente, rappresenta la soluzione ideale per radar phased array in banda X, ricevitori per comunicazioni satellitari e sistemi wireless a costi contenuti.
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