Amplificatore combinato ad alta potenza a doppio canale in banda Ka
| Processo | CMOS a 65 nm |
| Frequenza operativa (GHz) | 35-41 |
| Guadagno (dB) a 10 GHz | 25.8 |
| Psat(dBm) a 38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) a 38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) a 38 GHz | 21.9 |
| Area del nucleo (mm²) | 0,3 |
Questo amplificatore di potenza a doppio canale CMOS da 65 nm combina un'elevata integrazione con un guadagno di 25,8 dB nella banda 35-41 GHz. Grazie alle dimensioni compatte di 0,3 mm² e a una potenza di uscita di 21,4 dBm, è ideale per terminali satellitari in banda Ka ad alta densità ed economici e per array di beamforming a onde millimetriche 5G.
Get in touch
Your email address will not be published. Required fields are marked *

LTCC
MLCC




