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Amplificatore combinato ad alta potenza a doppio canale in banda Ka

L'amplificatore combinato ad alta potenza a doppio canale in banda Ka È progettato per sistemi di comunicazione avanzati a microonde e onde millimetriche che richiedono elevata potenza di uscita, ampia larghezza di banda e prestazioni stabili. Dotato di due canali di amplificazione indipendenti con architettura di combinazione di potenza, offre una maggiore efficienza di uscita e una linearità superiore su tutta la banda Ka. L'amplificatore integra reti di combinazione a bassa perdita, dispositivi di potenza ad alta affidabilità e un design termico ottimizzato per garantire un funzionamento stabile a lungo termine. È ideale per terminali di comunicazione satellitare, sistemi radar, antenne phased-array e moduli front-end RF ad alta potenza, fornendo prestazioni robuste in ambienti di comunicazione esigenti.


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    Processo CMOS a 65 nm
    Frequenza operativa (GHz) 35-41
    Guadagno (dB) a 10 GHz 25.8
    Psat(dBm) a 38 GHz 21.4
    OP1dB (dBm) a 38 GHz 19.8
    PAEmax (%) a 38 GHz 21.9
    Area del nucleo (mm²) 0,3

    Questo amplificatore di potenza a doppio canale CMOS da 65 nm combina un'elevata integrazione con un guadagno di 25,8 dB nella banda 35-41 GHz. Grazie alle dimensioni compatte di 0,3 mm² e a una potenza di uscita di 21,4 dBm, è ideale per terminali satellitari in banda Ka ad alta densità ed economici e per array di beamforming a onde millimetriche 5G.

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